本文摘要：镖加速器有8个输入靶位，而每个靶位对应的碳膜支架上2块碳膜。离子源系统引向的氢气离子束流穿越碳膜后挤压了束流上的负离子炮击到靶上。 在Beam on时，离子源系统 （SOURCE）必须符合互锁体统、氢冻、水冷、磁场、射频、靶位自由选择超过预设拒绝后方能长时间工作。

镖加速器有8个输入靶位，而每个靶位对应的碳膜支架上2块碳膜。离子源系统引向的氢气离子束流穿越碳膜后挤压了束流上的负离子炮击到靶上。

在Beam on时，离子源系统 （SOURCE）必须符合互锁体统、氢冻、水冷、磁场、射频、靶位自由选择超过预设拒绝后方能长时间工作。通过检查操作系统上离子源系统的状态，找到输入靶位自由选择表明并未长时间读取，且碳膜挤压系统驱动器（Stripper Drivers）上表明碳膜驱动过无限大（LIMIT）错误，猜测为碳膜挤压器（Stripper）驱动方位多达无限大。

接下真空装置，关上屏蔽门，关上镖加速器谐振腔，找到碳膜支架在不时的顺时针转动无法超过系统预设的工作方位。碳膜支架上的2慢碳膜方位，是在加速器工作过程中设置到其束流炮击到靶上高效率的预设点，把对应预设点的电压值存储到PLC（可编程控制器）。而此时的碳膜去找将近PLC内存储的方位信息，碳膜的方位信息在操作系统的碳膜方位调节界面上也没对系统值，无法展开自由选择或替换，自由选择或替换。回旋加速系统预设了2慢碳膜的方位信息，此方位信息由碳膜支架转动驱动电机里的实时电位器来对系统。

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