本文摘要：锑化物半导体激光具备体积小、效率高、电驱动必要闪烁等优点，可实现1．8μm－4μm的中红外波段激光输入，在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具备最重要应用于前景，并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源，是中红外激光技术领域的前沿研究热点，但是由于锑化物半导体材料较低的热导率和低空穴迁移率造成的侧向载流子泄漏，使得锑化物半导体激光器效率较低、光束质量劣、温度稳定性劣。

锑化物半导体激光具备体积小、效率高、电驱动必要闪烁等优点，可实现1．8μm－4μm的中红外波段激光输入，在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具备最重要应用于前景，并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源，是中红外激光技术领域的前沿研究热点，但是由于锑化物半导体材料较低的热导率和低空穴迁移率造成的侧向载流子泄漏，使得锑化物半导体激光器效率较低、光束质量劣、温度稳定性劣。近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员佟存柱团队与中国科学院半导体研究所研究员牛智川团队合作，明确提出了锑化物微脊宽区波导结构，有效地诱导了载流子侧向泄漏和积累，将1．96μm波长的锑化物激光器最低能量切换效率由9．8％提升到30．5％，倒数输出功率多达了1．28W，侧向光束质量提高了36％，阈值、温度特性和电流对远场的影响都获得明显改善，该研究为高亮度锑化物半导体激光器的构建获取了一种不切实际的技术方案。

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